Transistores GaN
Componentes de Nitruro de Galio GaN , resistentes a la radiación en el espacio, encapsulados, probados y cualificados para aplicaciones de satélite y de alta fiabilidad
- Transistores HEMT(HFET) de 40V a 300V ( de 30A a 4A). Rdson desde 6m Ohms
- Rad Hard GaN Drivers y etapas de potencia.
- -55ºC a +110ºC
- Parts are qualified per an equivalent MIL-PRF-19500 JANS flow including Conformance Inspection of groups A, B, C, D, and E
- Encapsulados herméticos.
- Soportan radiaciones hasta 300 Krad
- SEE immunity for LET of 83.7 MeV/mg/cm2 with VDS up to 100% of rated Breakdown.
- Low Dose Rate at 100 mRad/sec
- Maintains Pre-Rad specification for up to 1 x 1013 Neutrons/cm2
- Tienen una movilidad de electrones excepcionalmente alta y un coeficiente de temperatura bajo, lo que da como resultado valores de RDS (activado) muy bajos.
- Carga de puerta muy baja (QG) y tiempos de conmutación extremadamente rápidos. Estas características permiten densidades de potencia más altas, mayores eficiencias y encapsulados más compactos y ligeros.
- Soluciones de conversión de energía de alta fiabilidad para entornos espaciales críticos: sistemas de alimentación, aplicaciones RF, inversores, tecnología de detección remota (lidar), transmisión de motores , propulsores de iones, amplificadores de audio de clase D con un rendimiento excepcional
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