SiC SBD

Diodos de Carburo de Silicio SiC, Schottky Barrier

• Tensión de 600V, 650V y 1200V
• Corriente de 2A a 400A
• Caída de tensión (Forward Voltage) a partir de 1.10V
• Configuración simple y dual
• Temperatura de trabajo hasta 175ºC
• Formato axial (through hole), montaje superficial (SMD) para PCB, o modular con conexiones para tornillos