SiC MOSFET

Los dispositivos de carburo de silicio, SiC, pertenecen al grupo de semiconductores denominados de amplio ancho de banda. Estos ofrecen diversas características que implican una mejora sustancial respecto los dispositivos comunes basados en silicio.

Las ventajas de los dispositivos SiC se pueden resumir en:

• Tensión de ruptura más elevada. Posibilidad de fabricar transistores con tensiones máximas de operación mayores de 1700V
• Frecuencia de trabajo mucho más alta, los dispositivos SiC permiten realizar conmutaciones hasta los cientos de kilohertzios
• Incremento de la temperatura de trabajo hasta 300ºC en el material. El límite de esta temperatura queda fijado por el encapsulado y de cómo este es capaz de transmitir térmicamente el calor del die al exterior del dispositivo

Combinando estos factores, la tecnología SiC nos permite conseguir niveles de eficiencia fuera del alcance de los diseños comunes basados en Silicio.

Transistores de carbono de silicio Mosfet:

Podemos utilizar las obleas de SiC para la implementación de transistores y diodos, comúnmente diseñando y produciendo mosfets y schottky’s.

Actualmente podemos ofrecer al mercado módulos denominados Full-SiC (transistor y diodo de carburo de silicio), módulos híbridos IGBT’s de silicio más los diodos SiC, así como soluciones discretas de mosfets y diodos.

Desde el punto de vista del encapsulado se ofrecen dos líneas de producto:

• La que utiliza los encapsulados ya existentes, reduciendo el tiempo de desarrollo y facilitan su adopción a los diseñadores por tener la misma forma y disposición de los contactos
• O la que incorpora nuevos encapsulados, esta línea permite obtener un mejor rendimiento de las ventajosas prestaciones que ofrece el material SiC al ser un dispositivo diseñado adhoc para maximizar las características de los componentes