MOSFET

Amplia gama de MOSFETs disponibles en diversos tipos de encapsulado y configuraciones

• Tensión hasta 1000 V
• Corriente hasta 900 A
• Tecnologías Planar / Trench / Superjunction
• RDS(ON) extremadamente baja
• Canal N, canal P
• Canal P con diodo Schottky Integrado
• Dual N
• Dual N-P complementarios
• Dual asimétricos para CPU y GPU
• Temperatura de trabajo desde hasta 175ºC
• Formato discreto y modular, para PCB y para conexión con tornillos