MOSFET

Tecnologias Planar y Trench,  SuperJunction

• Tensión hasta 1000V
• Corriente hasta 900A
• Super Junction, muy baja Rdson
• Canal N
• Canal P
• Canal P con diodo Schottky Integrado
• Dual N
• Dual N-P Complementarios
• Dual Asimétricos para CPU y GPU
• Temperatura de trabajo hasta 175ºC
• Formato discreto y modular, para PCB y para conexión con tornillos