Hybrid IGBT + SiC SBD

Módulos IGBT’s + Schottky’s SiC

  • Tensión de 600V, 1200V y 1700V
  • Corriente de 35A a 1200A
  • Configuración Semi-Puente (Half Bridge), 6 transistores y PIM
  • Opción con puente trifásico
  • Opción con sensor de temperatura
  • Temperatura de trabajo hasta 175ºC
  • Formato axial (through hole), montaje superficial (SMD) para PCB o modular con conexiones para tornillos

 

Fuji módulos IGBT MOSFET