Hi-Rel Power MOSFET
Power MOSFETs de alta fiabilidad en diversos tipos de encapsulado y configuraciones
- Tensión hasta 1.200 V
- Corriente hasta 56 A
- Diseñado para resistir entornos exigentes con radiación (TID, DD, SEU)
- Celdas de súper alta densidad producida con tecnología DMOS
- RDS(ON) extremadamente baja
- Canal N, canal P, canal N+P
- Rango de temperatura desde -55ºC hasta 125ºC
- Para aplicaciones en espacio, defensa, aviónica o médicas, entre otros
